WWW.UK.X-PDF.RU

БЕЗКОШТОВНА ЕЛЕКТРОННА БІБЛІОТЕКА - Книги, видання, автореферати

 
<< HOME
CONTACTS




Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы

Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы
Pages:     | 1 |   ...   | 16 | 17 ||

«В. І. Перекрестов ПРАКТИЧНІ МЕТОДИ ЕЛЕКТРОННОЇ МІКРОСКОПІЇ Навчальний посібник Суми Сумський державний університет УДК 621.385.833(9758) ББК 22.33397 П27 Рецензенти: О. С. Кузема – ...»

-- [ Страница 18 ] --

Сучасні електронні мікроскопи мають програмне забезпечення, що дозволяє встановлювати для конкретної речовини значення індексів hkl для площин, що спостерігаються на зображенні. Приклад такого зображення з розпізнаванням площин, а також положення окремих атомів, наведені на рис. 10.6.

Рисунок 10.6 – Приклад зображення структури звисокою роздільною здатністю

10.3 КОНТРАСТ ВІД МОНОКРИСТАЛІВ

ЗІ СТРУКТУРНИМИ ДЕФЕКТАМИ. МУАРОВІ

ВІЗЕРУНКИ Розглянемо приклад формування контрасту при ПЕМдослідженнях кристалів, що мають структурні дефекти. За аналогією до розглянутого раніше прикладу формування контрасту (див. розд. 10.1) кожна кристалографічна

–  –  –

Деякі об’єкти дослідження представляють собою два монокристали, що розміщені паралельно один одному.

Так, на сьогодні інтенсивно розвиваються технології зі створення різноманітних за призначенням багатошарових надтонких систем різних кристалів. Останніми виступають напівпровідникові гетероструктури, що широко використовуються в різних сферах науки і техніки. Під час дослідження подібних структур за умови відсутності на межі кристалів будь-яких домішкових фаз можна спостерігати муарові візерунки у вигляді системи смуг. В цьому випадку в якості структурним дефектом може бути чітка границя між двома кристалами з різною симетрією розміщення атомів. За умови проходження електронного пучка з одного кристала в інший, на зображенні можуть б a Рисунок 10.7 – Формування муарових смуг при орієнтації двох періодичних структур під кутом (а) і паралельно (б) одна одній спостерігатися муарові візерунки у вигляді системи смуг.

Їх утворення можна зрозуміти на прикладі накладення однієї на іншу двох періодичних структур у вигляді смуг.

На рис. 10.7 подані два варіанти формування муарових візерунків, напрямки смуг яких виділені червоними лініями. Перший із них відносять до випадку, коли напрямки періодичних структур орієнтовані один до одного під деяким кутом (рис. 10.7 а).

Другий випадок (рис. 10.7 б) показує, що навіть при паралельності напрямків двох періодичних структур з’являються періодичні стовщення, які позиціонуються як муарові візерунки. Необхідно акцентувати увагу на те, що відстань між смугами муарових візерунків, як правило, перевищує відстань між сусідніми смугами двох періодичних структур. В кристалах періодичними структурами є системи кристалографічних площин однієї орієнтації.

Розрахунки показують, що показник фазового множника (10.12), в разі виконання умов спостереження муарових візерунків, можна подати в такому вигляді:

2 g g xg gt xt, (10.13) де х g і хt – координати, що спрямовані відповідно вздовж вектора g, а також перпендикулярно до нього; g g і g t – відповідні відхилення вектора g від вектора К в напрямку координат х g і хt. Тоді при товщині першого кристала t1, а другого – t2 амплітуда розсіювання електронів колонкою визначається співвідношенням inFg t1 t2

–  –  –

(10.15) де t t1 t 2.

Таким чином, інтенсивність залежить від таких параметрів, як t, t1 і s. Так, при великих значеннях s інтенсивність муарових візерунків зменшується. Разом з тим при зміні товщини об’єкта дослідження t, а також параметра s відстань між муаровими смугами також буде змінюватися. За умов, коли st1 дорівнює цілому числу муарові смуги зникають. Якщо межа між кристалами має нахил, значення t1 для різних хg змінюватиметься і муарові смуги набуватимуть складного характеру. Самі ж муарові смуги є наслідком того, що при зміні координати xg, Рисунок 10.8 – Муарові візерунки, отримані при орієнтації системи кристалографічних площин двох кристалів під кутом (а) або паралельно (б) одна одній спрямованої паралельно нижній поверхні об’єкта, відбувається періодична зміна інтенсивності, причому наявність структурних дефектів в одному із кристалів може призвести до тих чи інших змін в симетрії муарових смуг.

Вигляд муарових візерунків при різній взаємній орієнтації систем кристалографічних площин двох кристалів подані на рис. 10.8. Спостереження муарових візерунків є корисним для встановлення наявності на межах розділу двох кристалів додаткових фаз або забруднень. Відсутність муарових візерунків на зображенні двошарових монокристалічних структур є необхідною передумовою того, що в міжкристалічній області знаходиться додаткова речовина. Крім того, спостерігати муарові візерунки, вивчаючи при цьому структуру кристалів, можна, використовуючи ПЕМ з відносно не високою роздільною здатністю.

10.4 КОНТРАСТ ВІД ДЕФЕКТІВ

УПАКУВАННЯ

В ідеальних кристалах всі щільно упаковані кристалографічні площини розміщені в строгому порядку, утворюючи при цьому періодичну послідовності. Як правило, реальні кристали часто містять помилки в періодичності розміщення тих чи інших найбільш щільно упакованих площин. Якщо позначити кристалографічні площини буквами, то дефекти упакування виникають у тому випадку, коли замість правильної послідовності площин ABCABC може створюватися послідовність ABCBCABC, в якої одна із площин (у нашому випадку площина А) виглядалена. В інших випадках замість правильної послідовності в розміщенні кристалографічних площин вставляється зайва площина, наприклад, послідовність у бездефектному кристалі АВСАВСАВС перетворюється на послідовність АВСААВСАВС.

Відповідно до цих двох випадків розглядають дефекти упакування віднімання або упровадження. В області дефектів упакування спостерігається зміщення R щодо правильного розміщення комірок у бездефектному кристалі, що є причиною появи контрасту. Дефекти упакування найчастіше зустрічаються в ГЦК кристалах.

Вони лежать у найбільш упакованих площинах типу (111) і, як правило, утворюються за рахунок деформації кристалів. Необхідно зазначити, що для окремих типів дефектів упакування і варіантів їх спостереження в режимі «темне поле» ці структурні дефекти можуть бути невиглядимі.

–  –  –

де n – ціле число, дефект буде непомітний при 2m (m-ціле число), тобто коли n кратне трьом.

Умови невидимості для ГЦК кристалів виконуються, коли режим «темне поле» реалізований при пропусканні через 220 або апертурну діафрагму дифракційних максимумів

3 1 1. Разом з тим дефект упакування завжди видимий, коли темнопольний режим робити реалізований на основі дифракційного максимуму типу 200. На рис. 10.9. а схематично зображено дві частини кристала, розділені під

–  –  –

(10.17) де t1 – глибина залягання дефекту упакування. Після інтегрування (10.17) та множення отриманого результату на комплексно спряжену функцію отримаємо вираз для розподілу інтенсивності електронної хвилі на нижній поверхні об’єкта дослідження у такому вигляді:

–  –  –

де z 0.5t t1 – відповідає за положення дефекту упакування щодо центра об’єкта дослідження.

Виходячи з того, що третій доданок в співвідношенні (10.18) має множник cos 2sz, залежно від z відбувається зміна інтенсивності електронної хвилі з періодичністю 1/s (див. рис. 10.9 б). Такі періодичні зміни призводять до формування зображення у вигляді смуг (рис. 10.10). При цьому закономірності зміни контрасту при переході від темнопольного режиму роботи ПЕМ до світлопольно подібні до змін товщинного контрасту (див. розд. 10.1 і рис. 10.3).

Рис. 10.10 – Електронно-мікроскопічне зображеннясистеми дефектів упакування

Необхідно також зазначити, що відстань між смугами того чи іншого дефекту упакування залежить від параметра s: чим більший цей параметр, тим ближче розміщені смуги. Крім того, при збільшенні s зменшується інтенсивність ліній, а за умови, коли площина дефекту упакування паралельна площинам, що обмежують об’єкт дослідження, контраст у вигляді системи смуг не спостерігається. В цьому випадку зображення дефекту упакування є суцільною світлою або темною смугою.

10.5 КОНТРАСТ ВІД ДИСЛОКАЦІЙ

10.5.1 Гвинтова дислокація Якщо під дією двох сил, що спрямовані протилежно одна одній, відбувається зсув однієї частини кристала відносно іншої на одну міжплощинну відстань може утворюватися гвинтова дислокація (рис. 10.11 а). Кристал в області гвинтової дислокації вже не складається з паралельних атомних площин. Його будову можна подати у вигляді з’єднаних між собою кристалографічних площин за допомогою гвинтової дислокації (на рис. 10.11 б «гвинт»


Купить саженцы и черенки винограда

Более 140 сортов столового винограда.


дислокації виділений червоним кольором). Поблизу осі дислокації АА спостерігається значна деформація кристалічної гратки, що може призвести до відповідного контрасту.

Спочатку розглянемо випадок, коли вісь гвинтової дислокації паралельна поверхні об’єкта дослідження, тобто напрямок електронного пучка перпендикулярний орієнтації дислокації. Для цього випадку показник фазового множника визначається таким співвідношенням:

zy n arctg. (10.19) х А А А А

–  –  –

Рисунок 10.1 - Кристал, що має гвинтову дислокацію (а), а також з’єднання кристалографічних площин гвинтовою дислокацією (б) Підставляючи (10.19) в (10.11), можна отримати амплітуду розсіювання електронної хвилі на нижній поверхні об’єкта дослідження у такому вигляді:

–  –  –

Профілі інтенсивності смуг на зображеннях гвинтових дислокацій при різних значеннях n наведені на рис. 10.12.

За умови розміщення гвинтових дислокацій під кутом до площини об’єктів відхилення елементарної комірки від її правильного розміщення визначається Рисунок 10.13 – Зображення мікроструктури об’єктів при наявності гвинтових дислокацій, орієнтованих паралельно поверхні об’єктів дослідження (а) і під деяким малим кутом до неї (б)

–  –  –

Рисунок 10.14 – Зображення гвинтових дислокацій при відносно великому куті нахилу щодо поверхні об’єкта дослідження Після підстановки (10.21) в (10.11) і зазначених вище перетворень можна отримати вираз, що частково пояснює перехід контрасту від системи смуг (рис. 10.13 а) до петель (10.13 б). При цьому збільшення кута приводить до поступового округлення петель. Так, на рис. 10.13 а зображені петлі гвинтових дислокацій при ~ 1, а на рис. 10.14 більш округлені петлі відповідають умовам 1.

10.5.2 Крайова дислокація Утворення крайової дислокації є результатом видалення однієї півплощини з кристалічної гратки в середині кристала (рис. 10.15). В цьому випадку навколо області обриву кристалографічної площини будуть існувати деякі зміщення елементарних комірок від правильного положення, що призведе до виникнення контрасту.

–  –  –

10.6 КОНТРАСТ ВІД ВКЛЮЧЕНЬ У випадках дослідження багатокомпонентних речовин, наприклад гетерогенного сплаву, може спостерігатися контраст від включень, які є наслідком розпаду твердого розчину. При формуванні зображення частинок (включень) у сплаві можуть діяти механізми контрасту, що залежать від природи включень і матриці, зв'язку їх кристалічних граток або режиму роботи приладу. Здебільшого контраст має дифракційний характер. Якщо дифракція електронів визначається змінами, що виникають у матриці за наявності включення, то можна говорити про матричний контраст. Такий деформаційний контраст є основним механізмом контрасту для невеликих за розміром включень, когерентно пов'язаних з матрицею. Розглянемо включення сферичної форми радіуса r0, що створює в матриці поле деформації сферичної симетрії (рис. 10.16).

–  –  –

Якщо матриця в пружному відношенні ізотропна, то радіальні зміщення можна подати таким чином:

r0 при r r0 і R r при r r0, R (10.25) r2 Тут – параметр, що відповідає за пружну деформацію.

На основі аналізу рис. 10.16 і відповідних обчислень можна говорити про те, що повинна існувати лінія відсутності контрасту, що проходить через включення перпендикулярно до вектора оберненої гратки g, оскільки всі зміщення радіальні. Для кращого розуміння формування контрасту на рис. 10.16 б зображені кристалографічні площини (hkl), за своєю орієнтацією наближені до максимального відбиття.

Рисунок 10.17 – Світлопольне зображення включень Стовщення зазначених площин, що виділені червоним кольором, відповідають точному положенню максимального відбиття. Тоді під час роботи ПЕМ в режимі «світле поле» буде спостерігатися контраст від включення, що складається з двох затемнених частин (рис. 10.16 в). Ілюстрація цього ефекту на основі реального зображення подана на рис. 10.17.

10.7 МІКРОСКОПІЯ ЛОРЕНЦА

З РОЗФОКУСУВАННЯМ

Будь-яка особливість зразка, яка впливає на траєкторію руху електронів, призводить до перерозподілу електронної хвилі і відповідно до виникнення контрасту. До таких особливостей необхідно віднести магнітне поле доменів у магнітних матеріалах, що є причиною викривлення траєкторії руху електронів на кут m при дії на них сили Лоренца. Якщо домен має намагніченість М, а електрон рухається через об’єкт дослідження зі швидкістю v, то e m 4Mt, (10.26) mv де t – товщина домену або об’єкта дослідження; е – заряд електрона; m – маса електрона.

У розглянутих вище прикладах формування контрасту фокальна площина об’єктивної лінзи збігалася з нижньою площиною об’єкта дослідження. В цьому випадку основний вклад у контраст визначався дифракцією електронів на періодичному розміщенні атомів у кристалах. Оскільки магнітні матеріали з доменними структурами також є кристалічними, при їх дослідженні має місце дифракційний контраст. Разом із тим під час дослідження магнітних матеріалів виникає необхідність дослідити їх чисто доменну структуру. Оскільки кут m достатньо малий (~ 10-4 рад), товщини об’єктів дослідження не достатньо для перерозподілу інтенсивності електронів на нижній їх поверхні. В зв’язку з цим формування контрасту, пов’язаного з доменною структурою при суміщенні фокальної площини об’єктивної лінзи з нижньою площиною об’єктів дослідження унеможливлюється. Необхідно також враховувати вплив магнітного поля об’єктивної лінзи на намагніченість об’єктів дослідження. Виходячи із зазначеного вище, є цілком логічним формувати контраст від доменної структури за умов положення фокальної площини об’єктивної лінзи на деякій відстані L від нижньої площини об’єкта дослідження. Іншими словами, необхідно зменшити фокус об’єктивної лінзи на величину L порівняно з фокусом, що використовувався для отримання дифракційного контрасту. Отриманий за цих умов контраст і є результат так званої лоренцевої мікроскопії. На рис. 10.18 наведено схематичне зображення геометричних характеристик лоренцевої мікроскопії. При проходженні електронів через сусідні домени з протилежною намагніченістю вини відхиляються на кут m у протилежні боки. Завдяки цьому залежно від координати можна виділити три характерні для лоренцевої мікроскопії зони інтенсивності електронів (див. рис. 10.18).

Перша з цих зон спостерігається в трьох місцях (див.

рис. 10.18) і має підвищену і незмінну з координатою інтенсивність з чіткими межами. На зображенні перша зона має вигляд світлих смуг. Друга зона характеризується відсутністю інтенсивності і, як наслідок, на зображенні буде мати вигляд темних смуг. Між цими двома видами смуг відбувається інтерференція двох електронних хвиль, що надходять від сусідніх доменів. Результатом цієї інтерференції є утворення третьої зони з періодичною зміною інтенсивності. Світлі і темні смуги перших двох зон відповідають за межі доменів. У той самий час періодичні зміни інтенсивності в третій зоні є результатом інтерференції електронних хвиль, що надходять від двох сусідніх доменів. Внаслідок цих обставин зображення, що отримане на основі лоренцевої мікроскопії, не відповідає повністю геометрії доменної структури.

–  –  –

На рис. 10.19 наведено зображення магнетика, що отримане на основі мікроскопії Лоренца з чіткими світлими і темними смугами, що відповідають першій і другій зонам. Між цими зонами розміщена третя зона періодичних змін інтенсивності.

Червоними стрілками позначені можливі вектори намагніченості сусідніх доменів. Також необхідно зауважити, що на основі геометричних уявлень з формування зон лоренцевої мікроскопії, а також, використовуючи (10.26) і ПЕМ-зображення, можна оцінити величини намагніченості М доменів.

Рисунок 10.19 – Мікроструктура магнетика, що отримана за допомогою мікроскопії Лоренца з розфокусуванням Контрольні запитання для самоперевірки під час вивчення розділу 10.

1. В чому суть фізико-математичної моделі, що пояснює формування товщинного контрасту під час роботи ПЕМ в режимах «світле» або «темне поле»?

2. В чому полягає технічна реалізація режиму високої роздільної здатності? Пояснити фізико-математичну модель формування контрасту під час роботи ПЕМ в цьому режимі.

3. Пояснити механізм формування муарових візерунків і основи фізико-математичної моделі відповідного контрасту.

4. Пояснити структуру дефектів упакування, а також фізико-математичну модель формування відповідного контрасту.

5. Пояснити механізми утворення та структуру гвинтової та крайової дислокацій. На основі фізикоматематичної моделі пояснити формування контрасту залежно від орієнтації дислокацій щодо напрямку електронного пучка.

6. В чому полягають основи формування контрасту від включень?

5. Як можна реалізувати мікроскопію Лоренца? В чому полягають особливості отриманого при цьому контрасту?

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

Утевський Л. М. Дифракційна електронна мікроскопія 1.

в металознавстві / Л. М. Утевський. – М.: Металургія, 1973. – 234 с.

Гоулстейн Дж. И. Растровая электронная микроскопия 2.

и рентгеновский аналіз / Дж. И. Гоулстейн. – М.:Мир, 1984. – 303 с.

Соболев В. Д. Фізичні основи електронної техніки / 3.

В. Д. Соболев. – М.: Вища школа, 1977.– 608 с.

Єпіфанов Г.І. Фізика твердого тіла / Г.І. Єпіфанов.

4.

– М.: Вища школа, 1977. – 288 с.

Глоэр Одри М. Практические методы в электронной 5.

микроскопии / М. Глоэр Одри – Л.: Машиностроение.

Ленинградское отделение, 1980. – 375 с.

Синдо Д. Аналитическая просвечивающая электронная 6.

микроскопия / Д. Синдо, Т. Оикава – М.: Техносфера, 2006. – 255с.

Уманский Я. С. Кристаллография, рентгенография и 7.

электронная микроскопия / Я. С. Уманский, Ю. А. Скаков – М.: Металлургия, 1982. – 632 с.

Брандон Д. Микроструктура материалов. Методы 8.

исследования и контроля / Д. Брандон, У. Каплан – М.:

Техносфера, 2004. – 384 с.

Векилова Г. В. Дифракционные и микроскопические 9.

методы и приборы для анализа наночастиц и наноматериалов / Г. В. Векилова, А. Н. Иванов, Ю. Д. Ягодкин – М.: МИСиС, 2009. – 145 с.

10. Горелик С. С. Рентгенографический и электроннооптический аналіз / С. С Горелик, Ю. А. Скаков, Л.Н.

Расторгуев – М.: МИСИС, 1994. – 328 с.

11. Кэй Д. Техника электронной микроскопии / Д. Кэй – М.:Мир, 1965. – 406 с.

12. Хейденрайх Р. Основы цросвечивающей электронной микроскопии / Р.Хейденрайх – М.:Мир, 1966. – 471 с.

13. Хирш П. Электронная микроскопия тонких кристал лов / П. Хирш [и др.]. – М.:Мир, 1968. – 574 с.

14. Эндрюс К., Дайсон Д., Киоун С. Электронограммы и их интерпретация / К. Эндрюс, Д. Дайсон, С. Киоун – М.: Мир, 1971. – 256 с.

15. Стоянова И. Г. Физические основы методов цросвечивающей электронной микроскопии / И. Г. Стоянова, И. Ф. Анаскин – М.:Наука, 1972. – 371 с.

16. Шиммель Г. Методика электронной микроскопии / Г.

Шиммель – М.:Мир, 1972. – 300 с.

17. Fryer J. R. The chemical application of transmission electron microscopy / J. R. Fryer – London: Acad. Press, 1979. – 286 p.

18. Глоэр О. М. Практические методы в электронной микроскопии / О. М. Глоэр – Л.: Машиностроение, Ленингр. отд-ние, 1980. – 375 с.

19. Применение электронной микроскопии в науке и технике: тезисы докл. I респ. научно-техн. конф. / Минск, 17-19 ноября 1980. – Минск: 1980. – 108 с.

20. ХІІ Всесоюзная конференция по электронной микроскопии: тезисы докладов / г.Сумы, окт. 1982.

– М.: Наука, 1982. – 352 с.

21. Электронная микроскопия и электронография в исследовании образования, структуры и свойств твердых тел: тезисы докл. Всесоюзн. Симпозиума / Звенигород, май 1983. – M.: Ин-т кристаллографии АН СССР, 1983. – 208 с.

22. Андерсон Дж. Структура металлических катализаторов / Дж. Андерсон. – М.: Мир, 1978. – 482 с.

23. Черных M. A. Исследование дисперсности и пористой структуры промышленных катализаторов электронномикроскопическим методом / M. A. Черных, Г. Т.

Щербань, B. B. Котляров // Ж. прикл. Химии. – 1974 – т.47, в 10. – 2197 с.

24. Звягин Б. Б. Электронография и структурная кристаллография глинистых минералов / Б. Б. Звягин – М.: Наука, 1964. – 282 с.

25. Грицаенко Г. О. Методы электронной микроскопии минералов / Г. О. Грицаенко [и др.] – М.: Наука, 1969.

– 310 с.

26. Бирюзова В. И. Электронно-микроскопические методы исследования биологических объектов / В. И.

Бирюзова [и др.] – М.: Изд. АН СССР, 1963. – 204 с.

–  –  –



Pages:     | 1 |   ...   | 16 | 17 ||
Похожие работы:

«ISSN 2309-83 Міністерство освіти і науки України Кам’янець-Подільський національний університет імені Івана Огієнка ЗБІРНИК НАУКОВИХ ПРАЦЬ КАМ’ЯНЕЦЬ-ПОДІЛЬСЬКОГО НАЦІОНАЛЬНОГО УНІВЕРСИТЕТУ ІМЕНІ ІВАНА ОГІЄНКА Серія соціально-педагогічна В и п у с к 22 Частина 1 Кам‘янець-Подільський „Медобори-200 УДК:378.4(477.43):376.1(082) ББК:74.58(4 Укр) З-42 Рецензенти: М.О. Супрун доктор педагогічних наук, професор кафедри психологічних дисциплін Національної академії внутрішніх справ України. П.С....»

«МАТЕРІАЛИ МІЖНАРОДНОЇ НАУКОВО-ПРАКТИЧНОЇ КОНФЕРЕНЦІЇ «АКТУАЛЬНІ ПИТАННЯ СУЧАСНОЇ НАУКИ» (25-26 квітня 2014 року) Одеса УДК 501+62(063) ББК 20+30я43 А 43 Актуальні питання сучасної науки. Матеріали міжнародної А 43 науково-практичної конференції (м. Одеса, 25-26 квітня 2014 року). – Херсон : Видавничий дім «Гельветика», 2014. – 128 с. ISBN 978-617-7041-63-0 У збірнику представлені матеріали міжнародної науково-практичної конференції «Актуальні питання сучасної науки». Розглядаються загальні...»

«Державний вищий навчальний заклад “Українська академія банківської справи Національного банку України” Кафедра економічної кібернетики МОДЕЛЮВАННЯ ЕКОНОМІКИ Методичні рекомендації щодо виконання курсової роботи Для студентів галузі знань 0305 “Економіка та підприємництво” за напрямом 6.030502 “Економічна кібернетика” денної форми навчання Суми ДВНЗ “УАБС НБУ” УДК 330.45(073) М7 Рекомендовано до видання методичною радою банківського факультету Державного вищого навчального закладу “Українська...»

«МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника Фізико-хімічний інститут Бердянський державний педагогічний університет Державний фонд фундаментальних досліджень НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Інститут хімії поверхні Інститут металофізики імені Г.В. Курдюмова Інститут загальної і неорганічної хімії імені В.І. Вернадського АКАДЕМІЯ НАУК ВИЩОЇ ШКОЛИ УКРАЇНИ ЛЮБЛІНСЬКИЙ ТЕХНІЧНИЙ...»

«ІІ ЗАГАЛЬНО УНІВЕРСИТЕТСЬКА СТУДЕНТСЬКА НАУКОВА КОНФЕРЕНЦІЯ ЗАСТОСУВАННЯ ВИЩОЇ МАТЕМАТИКИ В ГАЛУЗІ ЗВ’ЯЗКУ-2006 13 березня 2006 року Київ ДУІКТ Міністерство транспорту та зв’язку України Міністерство освіти і науки України ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІНФОРМАЦІЙНО-КОМУНІКАЦІЙНИХ ТЕХНОЛОГІЙ Кафедра вищої математики ІІ ЗАГАЛЬНО УНІВЕРСИТЕТСЬКА СТУДЕНТСЬКА НАУКОВА КОНФЕРЕНЦІЯ ЗАСТОСУВАННЯ ВИЩОЇ МАТЕМАТИКИ В ГАЛУЗІ ЗВ’ЯЗКУ 2006 13 березня 2006 року ПРАЦІ КОНФЕРЕНЦІЇ Київ ДУІКТ ПРОГРАМНИЙ КОМІТЕТ Голова –...»

«Тарара Анатолій кандидат фізико-математичних наук, завідувач лабораторії трудової підготовки і політехнічної творчості Інститут педагогіки АПН України Вдовченко Віктор науковий співробітник лабораторії трудової підготовки і політехнічної творчості Інститут педагогіки АПН України ІННОВАЦІЙНІСТЬ ПРОФІЛЮ НАВЧАННЯ СТАРШОКЛАСНИКІВ «ТЕХНІЧНЕ ПРОЕКТУВАННЯ» Стаття присвячена проблемі упровадження в діяльність загальноосвітнього навчального закладу науково обґрунтованої, експериментально перевіреної...»

«Сільськогосподарські Збірник наукових № 1 (57) науки праць ВНАУ 2012 УДК551.515:551.583.2:631.55:620.952 Томчук В.В., старший викладач Вінницький національний аграрний університет ПОГОДА, КЛІМАТ І УРОЖАЙ БІОМАСИ Проведений аналіз впливу клімату і погоди середніх широт на формування урожаю біомаси, а також прийоми корегування погоди. Ключові слова: погода, клімат, сонце, енергія, атмосфера, біомаса. Погода важливий компонент формування урожаю біомаси. Дослідження із визначення концепцій...»

«КІРОВОГРАДСЬКА МІСЬКА РАДА ВИКОНАВЧИЙ КОМІТЕТ ЩОДЕННА ЕКСПРЕС – ІНФОРМАЦІЯ ПРЕС-СЛУЖБИ 21 грудня 2010 року ЗОВНІШНЄ НЕЗАЛЕЖНЕ ТЕСТУВАННЯ ВІДБУДЕТЬСЯ З 2 ПО 24 ЧЕРВНЯ Зовнішнє незалежне оцінювання навчальних досягнень випускників загальноосвітніх навчальних закладів, які вирішили стати студентами вищих закладів освіти, відбудеться із 2 по 24 червня. Як повідомила заступник директора гуманітарного департаменту міської ради Лариса Костенко, абітурієнти будуть складати обов’язково тести з...»

«Міністерство освіти і науки України Львівський національний університет імені Івана Франка кафедра загальної та соціальної педагогіки НАВЧАЛЬНО-МЕТОДИЧНІ МАТЕРІАЛИ ДО КУРСУ “ПЕДАГОГІКА ВИЩОЇ ШКОЛИ” (для студентів V курсу факультету електроніки) на 2014/15 н.р. Львів, 2014 ВИТЯГ З НАВЧАЛЬНОГО ПЛАНУ Усього годин Кількість годин, відведених на: Форма Семестр звітності лекції практичносамостійну семінарські роботу 72 заняття 18 36 залік Лекційні заняття: вівторок (знаменник) 16.40-18.00, а. 2....»

«Моделювання та прогнозування стану довкілля для студентів 3 курсу хімічного, біологічного та географічного факультетів (стаціонар) Методичні вказівки НМК-09 Навчально-методичний комплекс: Методичні вказівки з навчання та контролю знань студентів, банки контрольних питань Чернівці ЧНУ Передмова Метою навчального предмету “Моделювання та прогнозування стану довкілля” є опанування загальними поняттями та навичками побудови математичних, фізичних та емпіричних моделей об’єктів довкілля; розв'язок...»




Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы


 
2013 www.uk.x-pdf.ru - «Безкоштовна електронна бібліотека»