WWW.UK.X-PDF.RU

БЕЗКОШТОВНА ЕЛЕКТРОННА БІБЛІОТЕКА - Книги, видання, автореферати

 
<< HOME
CONTACTS




Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы

Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы
Pages:     | 1 |   ...   | 14 | 15 || 17 | 18 |

«В. І. Перекрестов ПРАКТИЧНІ МЕТОДИ ЕЛЕКТРОННОЇ МІКРОСКОПІЇ Навчальний посібник Суми Сумський державний університет УДК 621.385.833(9758) ББК 22.33397 П27 Рецензенти: О. С. Кузема – ...»

-- [ Страница 16 ] --

9.5.2 Структурні дефекти кристала Структурні дефекти кристалів приводять до появи в об’єктах пружних деформацій, які згідно з викладеним вище призводять до появи різного виду змін у формі дифракційних максимумів. Спочатку зазначимо, що деформації від точкових і лінійних дефектів сильно обмежені в розмірах, що визначає надто малий їх внесок у зміни форми вузлів оберненої гратки. Разом з тим плоскі дефекти можуть призводити до істотних змін геометричних характеристик вузлів оберненої гратки. Так, наявність навіть одного дефекту упакування і тим більше системи дефектів упакування, що перекриваються, призводять до деформації вузлів оберненої гратки в форму тяжів або стрижнів. При цьому тяжі можуть мати різні товщини, які фіксуються на електронограмі в разі їх перпендикулярності до електронного пучка. В разі інших орієнтацій тяжів щодо напрямку електронного пучка основні геометричні характеристики електронограм близькі до геометричних характеристик для ефектів форми.

9.5.3 Періодично розміщені дефекти Додаткова періодичність, яка пов’язана з упорядкованим розміщенням плоских дефектів або з природою кристалічної гратки (див. рис. 9.28 a) призводить до виникнення додаткових, або побічних, максимумів. Оскільки відстань між плоскою періодичністю більша, ніж відстань між кристалографічними площинами, додаткові дифракційні максимуми розміщені на менших відстанях один від одного. Крім того, відмітна особливість формування електронограм від паралельно розміщеної структурної періодичності полягає у відповідному періодичному розміщенні додаткових максимумів уздовж напрямку, що збігається з одним із напрямків розміщення основних Визначити точно тип періодичної надструктури шляхом аналізу електронограми проблематично з причини можливої подвійної дифракції електронів. Прикладом такого ефекту може бути формування рядів додаткових дифракційних максимумів при проходженні електронів через періодичні зміни межплощинних відстаней у такому мінералі, як антигорит (рис. 9.28 б). Ефект, пов'язаний з періодичною надструктурою, також може спостерігатися на періодичній протифазній упорядкованості в сплавах.

Для установлення типу періодичної надструктури корисним є метод дослідження об’єктів у режимі «темне поле». У цьому випадку через апертурну діафрагму пропускають дифракційні максимуми, що сформовані на основі періодичної надструктури. Положення країв отвору апертурної діафрагми, необхідного для формування зображення періодичної надструктури, показане на а б Рисунок 9.28 – Кристал із періодично розміщеними дефектами упакування (а) і відповідна до цього кристала електронограма (б) (1 – дефекти упакування; 2 і 3 – атоми двох сортів; 4 – дифракційні максимуми від кристалів; 5 – дифракційні максимуми від періодично розміщених дифракційних максимумів; 6 – розміщення країв апертурної діафрагми при розгляді періодичних дефектів у режимі «темне поле») рис. 9.28 б. При цьому для більш контрастного зображення періодичної надструктури можна змінювати нахил об’єкта дослідження щодо напрямку електронного пучка.

9.5.4 Формування електронограм від структурних дефектів у вигляді двійників Частково це питання уже розглянуто в розділі 9.8.2.

Виділення питання впливу двійників на формування електронограм пов’язане з тим, що ці структурні дефекти, з одного боку, достатньо поширені в ГЦК кристалах, а з іншого – істотно можуть впливати на механізми формування електронограм.

Спочатку розглянемо монокристалічні об’єкти дослідження, що мають структурні дефекти у вигляді двійників. Процес двійникування можна подати як «поворот» частини кристала навколо деякої осі на 180о таким чином, щоб атоми двох утворених при цьому частин в площині взаємного зміщення були спільними (рис. 9.29 а). Вісь, навколо якої проводиться обертання, (111) (111)

–  –  –

Рисунок 9.29 – Механізми утворення двійників (а) і формування на їх основі електронограм (б,в) називається віссю двійникування, а площина, що перпендикулярна до осі – площиною двійникування.

Збіг граток у площині двійникування визначає відносно малу вільну енергію цього структурного дефекту і, як наслідок, високу структурну стабільність такого структурного стану.

Як правило, площиною двійникування для ГЦК-кристалів є площини типу (111).

Отже, електронограма кристала, що має двійники на основі різних площин типу (111) являє собою складну дифракційну картину від декількох жорстко пов'язаних геометрично між собою орієнтацій. Залежно від орієнтації напрямку електронного пучка щодо площини або осі двійникування на електронограмах можуть спостерігатися додаткові дифракційні максимуми, що мають вид сателітів.

Так на рис. 9.29 подані варіанти теоретичної (б) та експериментальної (в) електронограм, формування якої відбувалося за умови паралельності напрямку електронного пучка площині двійникування або перпендикулярності до осі двійникування. У цьому випадку розміщення додаткових дифракційних максимумів (сателітів), які на рис. 9.29 б мають червоний колір, визначається дзеркальним відображенням щодо осі двійникування.

Рисунок 9.30 – Розщеплення основних дифракційних максимумів на сателіти при орієнтації напрямку електронного пучка паралельно [001] кристалу (1 – матричні дифракційні максимуми; 2 – первинні двійникові дифракційні максимуми; 3 – вторинні дифракційні максимуми) При інших взаємних орієнтаціях електронного пучка та площини двійникування відбувається розщеплення матричних дифракційних максимумів.

Приклад такого варіанта електронограм наведений на рис. 9.30. У цьому випадку поява сателітів відбувається за рахунок подвійної дифракції при переході дифрагованих електронних пучків з однієї частини двійника в іншу. Крім того, при дослідженні досить тонких об’єктів або якщо біля поверхні розподілу двійника і матриці є деяка пружна деформація, може спостерігатися видовження вузлів оберненої гратки, що призводить до виникнення тяжів.

Приклад електронограми з тяжами наведений на рис. 9.32.

Оскільки параметри кристалічної гратки в двох частинах двійника відповідають базовому кристала, то електронограми від полікристалічних об’єктів, що мають підвищену концентрацію двійників, зазвичай, не відрізняються від електронограм полікристалічних об’єктів за відсутності двійників.

Рисунок 9.31 – Електронограма, що сформована занаявності пружних деформацій

Однак подвійна дифракція електронів, що може відбуватися на двійникових межах певної орієнтації, може привести до появи додаткових кільцевих дифракційних максимумів, які не відповідають міжплощинним відстаням досліджуваного кристала. Це стає зрозумілим, якщо значна кількість довільно орієнтованих двійників створює відповідну кількість сателітів, що об’єднуються в додатковий кільцевий дифракційний максимум. Таку електронограму можна подати, якщо обертати електронограму, зображену на рис. 9.30 навколо нульового вузла. Зі зрозумілих причин таке обертання призведе до виникнення екстра-кілець. Вони, дійсно, спостерігаються при дифракції від тонких полікристалічних плівок, що сформувалися шляхом конденсації парів у вакуумі. В окремих випадках розміщення передбачених екстра-кілець збігаються з дозволеними кільцями для гексагональної щільно упакованої структури, що істотно ускладнює інтерпретацію отриманого результату. З цих причин можна помилково констатувати наявність гексагональної фази, хоча врахування ефектів подвійної дифракції на двійниках цілком достатньо для пояснення наявності усіх кілець електронограми. Для недопущення подібної помилки необхідно провести ретельний аналіз кільцевих електронограм, який дозволив би встановити різницю між двома можливими тлумаченнями. Критерієм правильної інтерпретації є виявлення передбачених екстра-кілець, що відповідають лише одному із зазначених вище варіантів.

9.5.5 Формування електронограм при подвійній дифракції від двох фаз На відміну від подвійної дифракції на двійниках у цьому розділі розглядається подвійна дифракція електронів за наявності двох різних монокристалічних фаз.

З аналогією з попереднім випадком при проходженні електронного пучка з однієї фази в іншу (рис. 9.32 а) може дуже чітко проявлятися ефект подвійної дифракції з формуванням відповідної електронограми (рис. 9.32 б).

Цей ефект особливо проявляється, коли дві фази мають симетричне орієнтаційне співвідношення одна відносно одної.

У цьому випадку на електронограмі наявні дифракційні максимуми трьох типів (рис. 9.32 б). Перший з них формується за рахунок дифракції на першій фазі, другий – при дифракції на другій фазі і третій тип дифракційних максимумів є результатом подвійної дифракції при переході пучка електронів із першої фази в другу.


Купить саженцы и черенки винограда

Более 140 сортов столового винограда.


–  –  –

Рисунок 9.33 – Приклад проходження пучка через дві різні фази (а) та сформована за цих умов електронограма (б) (1-дифракційні максимуми першої фази; 2 – дифракційні максимуми другої фази; 3 – дифракційні максимуми подвійної дифракції) Такий ефект подвійної дифракції досить поширений і спостерігається не лише за наявності другої фази всередині тонкого об’єкта дослідження, але і коли на поверхні об’єкта формується тонкий окисний шар або коли дві монокристалічні фази послідовно нарощені одна на одну.

Якщо первинна дифракційна картина містить тяжі, що виникають лише поблизу деяких основних дифракційних максимумів внаслідок механічних напруг, то в результаті подвійної дифракції можуть з'явитися тяжі біля інших основних дифракційних максимумів. Цей ефект, як правило, є результатом динамічної взаємодії між пучками всередині кристала. Геометрію отриманих при цьому електронограм можна пояснити шляхом простого розгляду всіх сильних первинних пучків як вторинних джерел електронів.

9.5.6 Вплив заломлення пучка електронів на процес формування електронограм У підрозділі 9.1 розглянуто питання заломлення пучка електронів при його входженні з вакууму в об’єкт дослідження. При цьому був отриманий вираз для коефіцієнта заломлення у вигляді (9.5). Останній можна подати в більш спрощеному вигляді:

V2 V n 1 0 1 0. (9.68) E 2E Нагадаємо що Е-енергія електронів вимірюється в електронвольтах, а V0 для різних речовин змінюється приблизно в межах від 5 до 30 еВ. Відповідно до граничних значень цих меж, а також для електронів з енергією 100 кВ коефіцієнт заломлення змінюється від ~ 1,000025 до ~ 1,00015. Такі досить малі значення коефіцієнта заломлення можна спостерігати при кутах ковзання, що перевищують приблизно 5о. Разом з тим при зменшенні кутів ковзання спостерігається значне збільшення кутів заломлення (див. рис. 9.33), що може істотно вплинути на взаємне розміщення дифракційних максимумів.

Виходячи з цього, можна говорити про те, що ефект заломлення необхідно враховувати лише тоді, коли об’єкт дослідження має розвинену поверхню, значна частина якої орієнтована приблизно паралельно електронному пучку.

Відхилення пучків через наявність заломлення найбільш часто спостерігається при дифракції віддзеркалених електронів від поверхні об’єкта дослідження. Разом із тим останнім часом значну увагу звертають на об’єкти дослідження, що складаються з окремих нанокристалів. У цьому випадку завжди можна виділити групу кристалів, орієнтованих своєю поверхнею приблизно паралельно електронному пучку.

–  –  –

між об’єктом та екраном спостереження. На відміну від розглянутих раніше прикладів формування сателітів, для такої орієнтації кристала щодо електронного пучка, величина зміщення однакова для всіх дифракційних максимумів.

9.6 ТОЧНІСТЬ РОЗРАХУНКІВ

КРИСТАЛОГРАФІЧНИХ ПАРАМЕТРІВ

НА ОСНОВІ ЕЛЕКТРОНОГРАМ

9.6.1 Точність вимірювання відстаней До найбільш найважливих факторів, що обмежують точність вимірювань кристалографічних параметрів гратки за допомогою електронної дифракції необхідно віднести калібрування електронного мікроскопа. Для розрахунку міжплощинних відстаней і періоду гратки потрібно визначити дифракційну сталу 2L (див. розд. 9.4.3) шляхом використання еталонного об’єкта. Необхідно зазначити, що для сучасних мікроскопів можна визначити деякі стандартні умови їх роботи, які відповідають конкретному значенню сталої приладу. Більше того, найбільш сучасні прилади з високою стабілізацією енергії електронного пучка оснащені розрахунковими програмами та автоматизованою регістрацією електронограм. Це дозволяє досить точно в режимі реального часу отримувати значення кристалографічних параметрів. Разом із тим у переважній більшості приладів зміни у високовольтному живленні, а також в живленні лінз, що беруть участь у формуванні електронограм в режимі мікродифракції, можуть призвести до значних похибок в розрахунку кристалографічних параметрів. При цьому значні похибки в розрахунках обумовлюють різні положення об’єктів дослідження і еталона в колоні мікроскопа в момент отримання електронограм. Необхідно мати на увазі, що в разі мікродифракційних досліджень стала 2L прямо пропорційна довжині фокуса об'єктивної короткофокусної лінзи. З цих причин для сучасних короткофокусних об'єктивних лінз при зміні вертикального положення об’єктів на 1 мм виникає похибка порядку 30 %. Частково ці труднощі можна подолати і отримати точність 1-2 % шляхом визначення 2L для різних струмів об'єктивної лінзи і побудови відповідної калібрувальної кривої.

Однакове положення об’єкта дослідження і еталона можна підтвердити незмінністю струму об’єктивної лінзи при сфокусованому вигляді електронограми. Зі зрозумілих причин похибки в розрахунках зростають, якщо між експозиціями еталона та об’єкта дослідження відбудеться зміна високої напруги або струму в лінзах. Разом із тим найбільш високої точності досліджень можна досягти лише калібруванням кожної електронограми окремо шляхом розміщення на одній предметній сітці об’єкта дослідження і еталона. В окремих випадках можна наносити зверху на об’єкт дослідження еталон. Але при використанні такого підходу необхідно мати на увазі ефект подвійної дифракції, який також може призвести до підвищення похибки дослідження. У деяких випадках, наприклад при розпаді твердих розчинів, в об’єкті дослідження з’являється речовина, що може бути використана як еталон. Крім того, при дослідженні екстракційних реплік (див. розд. 7.6) еталонна речовина може додаватися навмисно.



Pages:     | 1 |   ...   | 14 | 15 || 17 | 18 |
Похожие работы:

«УДК 615.327.07:663.64](477.83) № держреєстрації 0110U001949 Інв. № Міністерство охорони здоров’я України Український науково-дослідний інститут медичної реабілітації та курортології (Укр НДІ МР та К) 65014, м. Одеса, пров. Лермонтовський, 6 тел. (048) 722-35-68 ЗАТВЕРДЖУЮ Директор Укр НДІ МР та К д.мед.н., проф. К.Д.Бабов “”2010 р. ЗВІТ ПРО НАУКОВО-ДОСЛІДНУ РОБОТУ МЕДИКО-БІОЛОГІЧНЕ ОБҐРУНТУВАННЯ ТЕРМІНУ ПРИДАТНОСТІ ДО СПОЖИВАННЯ МІНЕРАЛЬНОЇ ВОДИ „ШУМИЛІВСЬКА” (НЕГАЗОВАНОЇ ТА СЛАБОГАЗОВАНОЇ),...»

«Сумський державний університет Кафедра прикладної фізики ЗВІТ КАФЕДРИ ПРИКЛАДНОЇ ФІЗИКИ З НАВЧАЛЬНО-МЕТОДИЧНОЇ ТА НАУКОВОЇ РОБОТИ ЗА 2012 РІК Доповідач – заст. завідувача кафедри, к.ф.-м.н., доцент Однодворець Л.В. Суми 2013 1. КАДРОВИЙ СКЛАД КАФЕДРИ: 9 штатних викладачів: 1 д.ф.-м.н. і 8 к.ф.-м.н. 4 штатних сумісника: 2 д.ф.-м.н. і 2 без н.с.; 1 зав. лабораторіями; 1 – провідний фахівець; 3 – інженери 1 категорії; 1 – молодший науковий співробітник; 1 – докторант Косяк В.В. (докторантура...»

«Міністерство освіти і науки України ДВНЗ “Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника” ЕВРИКА – ХV ЗБІРНИК СТУДЕНТСЬКИХ НАУКОВИХ ПРАЦЬ Івано-Франківськ ДВНЗ “Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника” ББК 70.516 М34 Рекомендовано до друку вченою радою Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника Редакційна рада: Цепенда І.Є. – голова, ректор ДВНЗ “Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника”, доктор політичних наук,...»

«МАТЕРІАЛИ МІЖНАРОДНОЇ НАУКОВО-ПРАКТИЧНОЇ КОНФЕРЕНЦІЇ «АКТУАЛЬНІ ПИТАННЯ СУЧАСНОЇ НАУКИ» (25-26 квітня 2014 року) Одеса УДК 501+62(063) ББК 20+30я43 А 43 Актуальні питання сучасної науки. Матеріали міжнародної А 43 науково-практичної конференції (м. Одеса, 25-26 квітня 2014 року). – Херсон : Видавничий дім «Гельветика», 2014. – 128 с. ISBN 978-617-7041-63-0 У збірнику представлені матеріали міжнародної науково-практичної конференції «Актуальні питання сучасної науки». Розглядаються загальні...»

«РОЗДУМИ ПРО ДУХОВНЕ ЖИТТЯ Найперше дякуймо Богу за Його любов і терпіння до кожного з нас. Особлива вдячність письменниці Неонілі Василівні Стефурак, пастору й письменнику Миколі Арсентійовичу Жукалюку, а також професору Івану Антоновичу Климишину за цінні й кваліфіковані поради не лише при написанні цієї маленької збірки, але й усіх моїх книг. Дякую Владикам Софрону, Іоасафу, Андрію та о-м. Івану Козовику за те, що завжди виділяють час для читання рукописів. Дякую дружині Оксані, нашим батькам...»

«Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України Інститут прикладної фізики Національної академії наук України Сумський державний педагогічний університет імені А.С. Макаренка Фізико-математичний факультет СУЧАСНІ ПРОБЛЕМИ ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЇ ТА ТЕОРЕТИЧНОЇ ФІЗИКИ МАТЕРІАЛИ І Міжрегіональної науково-практичної конференції молодих учених 19-20 квітня 2012 року м. Суми УДК 53:004(08) ББК 22я43 М 34 Рекомендовано до друку вченою радою фізико-математичного факультету Сумського державного...»

«Міністерство освіти і науки України Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника НАУКОВА БІБЛІОТЕКА КАТАЛОГ докторських та кандидатських дисертацій (2005 – 2009) Івано-Франківськ -2009Відповідальний за випуск – заступник директора Наукової бібліотеки С. В. Олейник Укладач – завідувач наукового відділу Наукової бібліотеки І. М. Арабчук Рецензент – провідний бібліотекар Наукової бібліотеки І. Ю. Шимків Комп’ютерна верстка – бібліотекар І. Л. Кріцак Алфавітний покажчик...»

«УДК 37.013.3 ПІДРУЧНИК З ПРИРОДОЗНАВСТВА ДЛЯ 5 КЛАСУ ЯК ОСНОВА ВТІЛЕННЯ ІДЕЙ ОСВІТИ ДЛЯ СТАЛОГО РОЗВИТКУ В ПРЕДМЕТАХ ОСВІТНЬОЇ ГАЛУЗІ «ПРИРОДОЗНАВСТВО» В.Р. Ільченко, доктор педагогічних наук, професор, дійсний член Національної академії педагогічних наук України, завідувач лабораторії інтеграції змісту освіти Інституту педагогіки Національної академії педагогічних наук України e-mail: info.dovkillya@gmail.com У статті аналізуються теоретико-методичні засади підручника з природознавства для 5...»

«SWorld – 17-28 June 2014 http://www.sworld.com.ua/index.php/ru/conference/the-content-of-conferences/archives-of-individual-conferences/june-2014 MODERN PROBLEMS AND WAYS OF THEIR SOLUTION IN SCIENCE, TRANSPORT, PRODUCTION AND EDUCATION‘ 2014 Стаття /Хімія – Органічна та неорганічна хімія УДК 544.023 Солодовнік Т.В., Єгорова О.В.,Сафонова О.Ф. ДОСЛІДЖЕННЯ ФІЗИКО-ХІМІЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ХІТОЗАНОВИХ ПЛІВОК Черкаський державний технологічний університет, Черкаси, Україна T.V.Solodovnik, O.V.Egorova,...»

«МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ ПЕДАГОГІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ імені М. П. ДРАГОМАНОВА ІНСТИТУТ ЕКОЛОГІЇ ЕКОНОМІКИ І ПРАВА НАЦІОНАЛЬНИЙ ЦЕНТР “МАЛА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ” НАУКОВА ЕЛІТА У РОЗВИТКУ ДЕРЖАВ МАТЕРІАЛИ доповідей та виступів учасників ІІ Міжнародної науково-практичної конференції 09–10 жовтня 2012 року Україна, м. Київ Київ 2012 Праймдрук УДК 374 ББК 74.058 Н 69 Рекомендовано до друку Вченою радою Національного педагогічного університету імені М. П....»




Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы


 
2013 www.uk.x-pdf.ru - «Безкоштовна електронна бібліотека»